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記憶體的严重冲破出現！美光與英特爾独特發表新型非揮發性記憶體晶片 3D XPoint，且可同時取代 DRAM 與 NAND 在運算真个需要，據民间發表的資訊，速度將可晋升到 NAND Flash 的 1,000 倍、密度將比 DRAM 高出 10 倍，處理器與資料之間的延遲將可被升高，當剖析速度放慢，也開啟了更大的運用範疇，機器學習、即時追蹤疾病以及超擬真 8K 遊戲等在未來都將成為可能。
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半導體產業每隔幾年總有新型記憶體技術發表，諸如惠普、IBM、還有飛思卡爾等都嘗試過創造要比現有技術更快、密度更高、本钱更昂贵或各種條件權衡之下的代替品，但大多都因為昂貴、易碎等要素難以取代主流技術。
英特爾與美光早在 2005 年即一起攜手進軍 NAND Flash 市場，
当初又再一起發表新的 3D XPoint 非揮發性記憶體，成為挑戰者之一，且意圖做個改造者，3D XPoint 技術意圖取代 DRAM 與 NAND Falsh 在運算真个需要，民间新聞稿聲稱，已在本钱與功耗、效能之間取得均衡。
3D X point 為獨立在 DRAM 與 NAND 之外的全新「Non-Volatile Memory Form Factor」，英特爾稱此為 1989 年 NAND 快閃晶片推出以來，第一個新的記憶體類別。
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虽然英特尔说2016年，阿谁应该是办事器方面吧，
集体估量2018年集体电脑应该开始遍及。
此外crossbar rram2016年也要焦急出来了吧
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得都少钱？？
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坐等了！
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是否这个3D XPoint能够便是memory, 也能够是hard drive (闪存flash memory)呢？
據民间發表的資訊，速度將可晋升到 NAND Flash 的 1,000 倍、密度將比 DRAM 高出 10 倍
这个密度10倍，是指甚么呢？是指体积是DRAM的1/10，仍是指速度是DRAM的10倍呢？
科技真的开展得太快太快了！
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想起当年内存和硬盘不分的女生，这样问题终于解决了。
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没懂。就不克不及一句话说分明了？求科普------
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